Studju fuq tikek suwed fuq il-wiċċ ta 'strixxa rrumblata kiesħa ta' azzar tas-silikon mhux orjentat ta 'grad medju

GNEE Azzar Grain Azzar tas-Silikon mhux orjentat

Il-post iswed fuq il-grad medjuazzar tas-silikon mhux orjentatstrixxa hija film ħoxna ta '1 sa 2 μm, il-komponent ewlieni huwa ossidu, u fih ammont żgħir ta' materja organika u emulsjoni. Ir-raġuni għall-formazzjoni ta 'tikek suwed hija: Matul il-proċess tal-irrumblar fil-kesħa, l-emulsjoni u t-trab tal-ħadid jaderixxu mal-wiċċ tal-istrixxa tal-azzar, u l-umdità hemmhekk tivaporizza f'temperatura tal-irrumblar ogħla minn 100 grad biex jissaddad il-wiċċ tal-azzar strixxa; il-proċess tat-tkessiħ wara l-coiling Fil-proċess, l-atomi tal-metall fuq il-wiċċ tal-istrixxa tal-azzar huma jonizzati, li jikkawżaw korrużjoni elettrokimika, u eventwalment jiġu ffurmati tikek suwed. Skont il-kawżi ta 'tikek suwed, huma proposti miżuri preventivi effettivi: ibdel l-emulsjoni, tnaqqas l-impuritajiet imħallta fl-emulsjoni, ittejjeb l-effett tal-knis tal-wiċċ tal-istrixxa tal-azzar, u tqassar il-ħin tal-ħażna tal-istrixxa tal-azzar.

Difetti ta 'l-iswed dehru fuq il-wiċċ ta' l-istrixxa ta 'l-azzar tas-silikon mhux orjentata fil-kesħa ta' grad medju prodotta minn impjant ta 'l-azzar. SEM u GDS intużaw biex janalizzaw il-mikrostruttura u d-distribuzzjoni tal-kompożizzjoni ta 'tikek skuri. Billi jissimulaw l-irrumblar kiesaħ u l-proċess tat-tkessiħ tal-istrixxa tal-azzar, ġie studjat il-mekkaniżmu ta 'formazzjoni ta' tikek suwed. Ir-riżultati tal-istudju juru li t-tikek suwed fuq l-istrixxa tal-azzar tas-silikon mhux orjentata ta 'grad medju huma films irqaq bi ħxuna ta' 1 sa 2 μm, il-komponent ewlieni jkun ossidi, u ammont żgħir ta 'materja organika u emulsjoni. Ir-raġuni għall-formazzjoni ta 'tikek suwed hija: Matul il-proċess tal-irrumblar fil-kesħa, l-emulsjoni u t-trab tal-ħadid jaderixxu mal-wiċċ tal-istrixxa tal-azzar, u l-umdità hemmhekk tivaporizza f'temperatura tal-irrumblar ogħla minn 100 grad biex jissaddad il-wiċċ tal-azzar strixxa; il-proċess tat-tkessiħ wara l-coiling Fil-proċess, l-atomi tal-metall fuq il-wiċċ tal-istrixxa tal-azzar huma jonizzati, li jikkawżaw korrużjoni elettrokimika, u eventwalment jiġu ffurmati tikek suwed. Skont il-kawżi ta 'tikek suwed, huma proposti miżuri preventivi effettivi: ibdel l-emulsjoni, tnaqqas l-impuritajiet imħallta fl-emulsjoni, ittejjeb l-effett tal-knis tal-wiċċ tal-istrixxa tal-azzar, u tqassar il-ħin tal-ħażna tal-istrixxa tal-azzar.

Azzar tas-silikon mhux orjentat irrumblat kiesaħstrixxa hija tip ta 'materjal funzjonali manjetiku artab b'valur miżjud għoli, li huwa użat ħafna f'muturi, kompressuri, ġeneraturi u tagħmir ieħor. Jekk tistax tipproduċi strixxa tal-azzar tas-silikon mhux orjentata rrumblata kiesħa ta 'prestazzjoni għolja tista' tirrifletti s-saħħa komprensiva ta 'intrapriża tal-azzar f'termini ta' tagħmir, teknoloġija, persunal u kontroll. Minbarra l-proprjetajiet manjetiċi, il-kwalità tal-wiċċ qed tiġi vvalutata dejjem aktar minn utenti ta 'strixxi tal-azzar tas-silikon mhux orjentati. L-iżgurar tal-kwalità tal-wiċċ tal-istrixxa tal-azzar tas-silikon mhux orjentata saret kompitu ewlieni għall-manifatturi tal-azzar tas-silikon. Fil-proċess tal-produzzjoni ta 'strixxi ta' l-azzar tas-silikon mhux orjentati ta 'gradi medji f'impjant ta' l-azzar, meta jinżel wara l-irrumblar fil-kesħa f'mitħna tal-irrumblar riversibbli b'stand wieħed, instab li kien hemm ħafna strixxi suwed fuq il-wiċċ ta 'l-istrixxi ta' l-azzar li kienu diffiċli biex jitnaddfu, iżda l-istrixxi tal-azzar mhux tas-silikon prodotti fl-istess ħin ma Dan id-difett iseħħ. M'hemm l-ebda rapporti fil-letteratura dwar l-okkorrenza ta 'tikek suwed wara rolling kiesaħ ta' strixxi tal-azzar tas-silikon mhux orjentati. Għalhekk, dan l-artikolu juża SEM-EDS (Scanning Electron Microscope & Energy Spectrometer) u GDS (Glow Discharge Atomic Emission Spectrometer) biex janalizza l-mikrostruttura u d-distribuzzjoni tal-kompożizzjoni ta 'tikek suwed; il-mekkaniżmu ta 'formazzjoni ta' tikek suwed huwa studjat permezz ta 'esperimenti ta' simulazzjoni; u hawn Fuq il-bażi ta 'dan, huma proposti miżuri biex jipprevjenu l-okkorrenza ta' tikek suwed fi gradi rrumblati fil-kesħa ta 'strixxi tal-azzar tas-silikon mhux orjentati.